《半導體》紫光添利,南茂放量勁揚

南茂董事長鄭世杰。(報系資料照)

中國紫光集團宣布將斥資240億美元,

公關品設計

,於武漢興建全球最大的3D NAND Flash廠,

商標授權費用

,首期預期2018年投產,

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,市場預期後段封測將交由南茂(8150)負責,

機場接送

,增添後市利多。南茂近期股價於23~24元歷史低檔徘徊,

智慧財產權

,今日放量勁揚、最高漲近5%,

高雄上網

,早盤維持約4%漲幅,

品牌設計

,領漲封測族群。南茂為擴增營運資金、IC封測產線及產能,

專利核准條件

,去年11月底宣布將上海宏茂微電子54.98%股權出售給紫光等策略投資人,

商標重複

,未來紫光國微對宏茂持股48%、南茂45%,藉此搶攻中國市場需求,並達成營運達經濟規模目標,公司預期上海宏茂今年營運可望轉盈。此外,中國面板廠8.5代線持續開出產能,且智慧型手機銷售動能仍強,去年第四季LCD驅動IC需求持穩,未見明顯淡季效益,南茂去年10、11月自結合併營收32.48億元,較前年同期小幅成長2.14%,法人預期去年第四季淡季營運有撐,表現將優於預期。而紫光上周五再宣布,將斥資240億美元於武漢興建3D NAND Flash廠,預期2018年完成首期建設投產、2020年全數完工,屆時年產能將超過30萬片、年產值將超過百億美元,成為全球最大單一3D NAND Flash廠。由於紫光將與南茂合資經營上海宏茂,拓展中國市場版圖,市場預期紫光的3D NAND Flash後段封測訂單,亦將交由合作密切的南茂,對於希望爭取中國封測市場商機的南茂而言,屆時將為營運帶來利多。(時報資訊),

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