矽智財廠力旺(3529)今(7)日宣布，
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，在55奈米超低功耗(Ultra-Low-Power，
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，ULP)製程平台推出進階版NeoFuse矽智財並完成特性規格驗證，
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，強攻物聯網在低功耗與安全防護之應用需求，
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，此解決方案已獲得客戶採用於產品設計，
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，準備進入試產階段。力旺電子進階版NeoFuse矽智財擁有低電壓操作、矽智財面積最佳化與內建電荷幫浦(Charge Pumping)線路之優勢，
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，能協助客戶在電池供電及物聯網應用之產品的設計上提升線路設計之靈活性與晶片整合度，更進一步達到最佳能耗表現。其中，其獨特的密碼金鑰與隨機編碼產生(Random Seed Generation)功能，更能為物聯網應用產品打造安全的資料傳送環境，進而提升客戶產品附加價值，強化市場競爭力。力旺表示，建構於55奈米超低功耗製程平台之進階版NeoFuse矽智財，具備0.9伏超低讀取電壓的特性，使得系統晶片得以在功能啟動的最初階段即完成參數的設定與資料的讀取。除此之外，此解決方案僅須增加微幅的面積，即可嵌入內建電荷幫浦線路，提供在編程模式(Programming Mode)下寫入資料所需要的高電壓。在不需要考慮提供高電壓的情況下，客戶採用嵌入式非揮發性記憶體解決方案的步驟得以簡化，進而加速產品開發，取得市場先機。力旺電子OTP事業群盧俊宏副總經理指出，除了要求低功耗的表現之外，越來越多對超低功耗製程平台有興趣的矽智財使用客戶亦對於低電壓操作、壓縮矽智財面積與簡易的供電方式有殷切需求。(時報資訊)，