根據韓國時報的報導，
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，南韓三星電子要投入更多資源，
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，希望年底前能發表首款3D NAND型晶片，
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，較原先計劃提前6個月，
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，除了滿足智慧型手機等處理大量資料的需求外，
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，也要鞏固此前景可期的市場地位。
三星計劃未來幾個月內，
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，向客戶送出新晶片樣本，
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，明年開始在中國西安的新快閃記憶晶片廠生產。
包括IBM和東芝等晶片業巨擘，
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，都競相研發被視為下一世代主力的3D NAND型晶片，
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，因為3D技術打破目前NAND型晶片的微縮極限。NAND型快閃記憶晶片採用非揮發性（non-volatile）儲存技術，不需要電源來保存資料。但3D NAND型晶片採用3D技術，擁有更節省成本和保證有更多記憶格（memory cell）優勢。。
三星表示，現在全球記憶晶片業只剩少數主要供應商，拼命「燒錢」時代已經過去，三星要提升3D NAND型晶片的生產技術。晶片商在平面NAND型晶片上，正面臨10奈米製程以下的技術極限，讓晶片業要為此做出調整。
三星認定3D NAND型晶片，將在未來2到3年內成為業界主流。由於生產成本能夠降低，又具備大量數據儲存的能力，這表示消費者能以更實惠價格，購買智慧型手機、平板電腦和其他數位設備。
但在量產之前仍有一些技術問題要解決。Sanford C. Bernstein分析師紐曼（Mark Newman）認為，3D NAND型晶片的製程複雜，可能要使用不同的工具組。，